元件在空气中使用到800℃时开始氧化，温度达到1000-1300℃时，发热
部表面生成一层二氧化硅保护层,1300℃时结晶出方石英，在1500℃时，
保护膜达到一定的厚度，从而使元件的氧化速度变得极为缓慢，趋于稳
定,如果继续升温至1627℃以上时，保护膜受到破坏，氧化速度显著增
加，造成元件过早埙坏。 二硅化钼电热元件化学性质：高
温氧化气氛下，表面生成一层致密的石英(SIO2)保护层以防止MOSi2继续
氧化，当元件温度大于1700℃，熔点为1710℃的SIO2保护层熔融，由于
表面张力的作用，SIO2溶聚成滴，而失去保护作用，元件在氧化气氛下，
再继续使用时，SIO2保护层重新生成。 |
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